比UFS 2.1性能翻番 UFS 3.0正式发布:2.9GB/s



  • 1月31日上午消息,固态技术协会(JEDEC)发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI,通用闪存存储) v3.0标准(JESD220D、JESD223D),和UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A)。简单来说,UFS 3.0引入了HS-G4规范,单通道带宽提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。

    由于UFS的最大优势就是双通道双向读写,所以接口带宽最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s。

    互联层设计方面,严格遵守MIPI(移动产业处理器接口)的规范协议,其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1,传输层依据MIPI UniProSM v1.8。

    其它方面,UFS 3.0支持的分区增多(UFS 2.1是8个),纠错性能提升,电压2.5V,支持最新的NANG Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶,工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。

    至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考,用于简化通行设计。

    至于UFS存储卡v1.1,则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容,这样存储速度就达到最高1.5GB/s。

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    另外,三星已经宣布,将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口,所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件,暂不得而知。


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